发明名称 |
存储阵列、存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法 |
摘要 |
一种存储阵列、存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法,所述存储阵列包括:呈M行N列排布的存储单元,M≥1,N≥2,所述存储单元包括:第一MOS管和熔丝包括:呈M行N列排布的存储单元,M≥1,N≥2,所述存储单元包括:第一MOS管和熔丝;在同一个存储单元中,第一MOS管的第一端连接熔丝的第一端,第一MOS管的第二端和熔丝的第二端中的一个为所述存储单元的第一端,另一个为所述存储单元的第二端;位于同一列的存储单元的第一端连接在一起,位于同一列的存储单元的第二端连接在一起;位于第n列的存储单元的第一端连接位于第n-1列的存储单元的第二端,N≥n≥2。 |
申请公布号 |
CN105336374A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201410369901.8 |
申请日期 |
2014.07.30 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
黄正乙;杨家奇;黄正太 |
分类号 |
G11C17/16(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华;吴敏 |
主权项 |
一种存储阵列,其特征在于,包括:呈M行N列排布的存储单元,M≥1,N≥2,所述存储单元包括:第一MOS管和熔丝;在同一个存储单元中,第一MOS管的第一端连接熔丝的第一端,第一MOS管的第二端和熔丝的第二端中的一个为所述存储单元的第一端,另一个为所述存储单元的第二端;位于同一列的存储单元的第一端连接在一起,位于同一列的存储单元的第二端连接在一起;位于第n列的存储单元的第一端连接位于第n‑1列的存储单元的第二端,N≥n≥2。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |