发明名称 存储阵列、存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法
摘要 一种存储阵列、存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法,所述存储阵列包括:呈M行N列排布的存储单元,M≥1,N≥2,所述存储单元包括:第一MOS管和熔丝包括:呈M行N列排布的存储单元,M≥1,N≥2,所述存储单元包括:第一MOS管和熔丝;在同一个存储单元中,第一MOS管的第一端连接熔丝的第一端,第一MOS管的第二端和熔丝的第二端中的一个为所述存储单元的第一端,另一个为所述存储单元的第二端;位于同一列的存储单元的第一端连接在一起,位于同一列的存储单元的第二端连接在一起;位于第n列的存储单元的第一端连接位于第n-1列的存储单元的第二端,N≥n≥2。
申请公布号 CN105336374A 申请公布日期 2016.02.17
申请号 CN201410369901.8 申请日期 2014.07.30
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 黄正乙;杨家奇;黄正太
分类号 G11C17/16(2006.01)I 主分类号 G11C17/16(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华;吴敏
主权项 一种存储阵列,其特征在于,包括:呈M行N列排布的存储单元,M≥1,N≥2,所述存储单元包括:第一MOS管和熔丝;在同一个存储单元中,第一MOS管的第一端连接熔丝的第一端,第一MOS管的第二端和熔丝的第二端中的一个为所述存储单元的第一端,另一个为所述存储单元的第二端;位于同一列的存储单元的第一端连接在一起,位于同一列的存储单元的第二端连接在一起;位于第n列的存储单元的第一端连接位于第n‑1列的存储单元的第二端,N≥n≥2。
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