| 发明名称 | 半导体器件、半导体器件的制作方法及LCD驱动芯片 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件、半导体器件的制作方法及LCD驱动芯片。该半导体器件包括：衬底；外延层，设置于衬底的表面上，外延层的导电类型与衬底的导电类型不同；第一阱结构，设置于外延层中，且下表面与衬底的上表面相接触，第一阱结构的导电类型与衬底的导电类型不同；第二阱结构，围绕第一阱结构设置，且下表面与衬底的上表面相接触，第二阱结构的导电类型与第一阱结构的导电类型不同。该半导体器件的结构得以优化，并使得半导体器件的集成度得以提高。 | ||
| 申请公布号 | CN105336737A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410339766.2 | 申请日期 | 2014.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 王金刚 |
| 分类号 | H01L27/08(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底；外延层，设置于所述衬底的表面上，所述外延层的导电类型与所述衬底的导电类型不同；第一阱结构，设置于所述外延层中，且下表面与所述衬底的上表面相接触，所述第一阱结构的导电类型与所述衬底的导电类型不同；第二阱结构，围绕所述第一阱结构设置，且下表面与所述衬底的上表面相接触，所述第二阱结构的导电类型与所述第一阱结构的导电类型不同。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||