| 发明名称 | 基于超低K电介质的互连结构的制造方法及制造的产品 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于超低K电介质的互连结构的制造方法及制造的产品。该制造方法对超低K电介质的损坏很小，从而获得更加坚固的间隙填充开口。该方法包括：在衬底上依次形成超低K电介质层和掩膜层；图案化所述掩膜层；以图案化后的掩膜层为掩膜，蚀刻所述超低K电介质层，所述蚀刻包括执行至少一次下述步骤：i)蚀刻所述超低K电介质层，所述蚀刻产生副产品聚合物；ii)向蚀刻室充入所述副产品聚合物，以密封经蚀刻所述超低K电介质层的侧壁。 | ||
| 申请公布号 | CN105336665A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410275812.7 | 申请日期 | 2014.06.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;周俊卿 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张东梅 |
| 主权项 | 一种基于超低K电介质的互连结构的制造方法，包括：在衬底上依次形成超低K电介质层和掩膜层；图案化所述掩膜层；以图案化后的掩膜层为掩膜，蚀刻所述超低K电介质层，所述蚀刻包括执行至少一次下述步骤：i)蚀刻所述超低K电介质层，所述蚀刻产生副产品聚合物；ii)向蚀刻室充入所述副产品聚合物，以密封经蚀刻所述超低K电介质层的侧壁。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||