相变存储单元测试结构及测试方法、相变存储器

摘要

本发明提供一种相变存储单元测试结构及测试方法、相变存储器，所述相变存储单元测试结构至少包括：字线、位线、源线、监测线、相变电阻和选通管；所述位线连接所述相变电阻的一端，所述相变电阻的另一端连接所述选通管的一端，所述选通管的另一端连接所述源线，其中，所述源线接地；所述字线连接所述选通管的控制端，所述监测线连接在所述相变电阻和所述选通管之间。本发明的相变存储单元测试结构，通过增设监测线，从而将相变存储单元测试结构分为了两个测试部分，结构简单，能够更加准确的进行擦电流测试，更好地表征相变存储器器件单元的电学和存储性能。

主权项

一种相变存储单元测试结构，其特征在于，所述相变存储单元测试结构至少包括：字线、位线、源线、监测线、相变电阻和选通管；所述位线连接所述相变电阻的一端，用以向所述相变电阻施加写或擦操作电压；所述相变电阻的另一端连接所述选通管的一端，所述选通管的另一端连接所述源线，其中，所述源线接地；所述字线连接所述选通管的控制端，用以控制所述选通管导通或截止，并向所述选通管施加控制电压；所述监测线连接在所述相变电阻和所述选通管之间，用以向所述选通管施加扫描电压。