| 发明名称 | 一种晶圆表面键合工艺及一种半导体器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件制备技术领域，尤其涉及一种晶圆表面键合工艺及一种半导体器件结构，通过在晶圆表面沉积薄膜层，然后沉积一包括H+离子的介质层，最后采用Anneal工艺，促进介质层中的H+离子与晶圆Si界面悬挂键键合，提高晶圆Si界面悬挂键键合程度。通过采用本技术方案，器件的Dark Current和BLC性能明显得到改善。 | ||
| 申请公布号 | CN105336628A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201510624214.0 | 申请日期 | 2015.09.25 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 王喜龙;胡胜;邹文;王言虹 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L23/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 俞涤炯 |
| 主权项 | 一种晶圆Si表面键合工艺，其特征在于，所述工艺包括：提供一晶圆，所述晶圆的表面包含有悬挂键；沉积一薄膜层覆盖所述晶圆的表面；沉积一包含H+离子的介质层覆盖所述薄膜层的上表面；采用Anneal工艺，使所述介质层的H+离子与所述晶圆的表面的悬挂键键合。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||