| 发明名称 | 确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，提高器件的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103158057B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201310072068.6 | 申请日期 | 2013.03.06 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 何敖东;宋志棠;刘波;刘卫丽;吴关平;王良咏;李俊焘;俞磊;闫未霞 |
| 分类号 | B24B37/013(2012.01)I | 主分类号 | B24B37/013(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法，其特征在于，所述确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法至少包括步骤：1)基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点；所述步骤1)包括：1‑1)当来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度低于预定强度阈值时，基于后续来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光强度的变化幅度来确定化学机械抛光停止点。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||