一种基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法

摘要

本发明涉及一种基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法，包括以下步骤：1)将可饱和吸收体材料生长在衬底表面上，在衬底上形成可饱和吸收层，得到贴片；2)将贴片粘贴在D型光纤表面，在贴片和D型光纤之间设置有折射率匹配胶，其中贴片附着可饱和吸收层的一侧与D型光纤表面相对，所述折射率匹配胶的折射率与D型光纤内包层匹配。解决了现有的可饱和吸收体器件的制作方法会带来大量非饱和吸收，并且无法避免在与外界接触的技术问题，本发明基于D型光纤倏逝波锁模技术，采用气相沉积等技术，生长低杂质、低非饱和损耗及与衬底材料物理接触紧密的吸收体材料，倒装封装在D型光纤区，从而提高了整体器件的寿命和锁模激光器的长期稳定性。

主权项

一种基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法，包括以下步骤：1)将可饱和吸收体材料生长在衬底表面上，在衬底上形成可饱和吸收层，得到贴片；2)将贴片粘贴在D型光纤表面，在贴片和D型光纤之间设置有折射率匹配胶，其中贴片附着可饱和吸收层的一侧与D型光纤表面相对，所述折射率匹配胶的折射率与D型光纤内包层匹配。