| 发明名称 | 一种半导体芯片及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体芯片及其制作方法，用以实现减小钝化层机械应力，提升半导体芯片可靠性的目的。所述半导体芯片，包括半导体衬底、器件层和顶层金属层，该半导体芯片还包括依次位于所述顶层金属层上的第一钝化层、用作平坦层的旋涂硅玻璃SOG层和第二钝化层，且所述顶层金属层的上方区域不覆盖所述旋涂硅玻璃SOG。 | ||
| 申请公布号 | CN105336712A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410357060.9 | 申请日期 | 2014.07.24 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 石金成;潘光燃;高振杰;王琨 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种半导体芯片，包括半导体衬底、器件层和顶层金属层，其特征在于，所述半导体芯片还包括依次位于所述顶层金属层上的第一钝化层、用作平坦层的旋涂硅玻璃SOG层和第二钝化层，且所述顶层金属层的上方区域不覆盖所述旋涂硅玻璃SOG。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||