| 发明名称 | 氮化硅薄膜及MIM电容的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上采用等离子增强型化学气相沉积法分两步沉积氮化硅薄膜，包括：步骤一、预沉积，所述预沉积具有较低的沉积速率；步骤二、进行主沉积直到达到氮化硅薄膜的预定厚度，所述主沉积具有较高的沉积速率。本发明还提供一种MIM电容的制作方法，其采用上述方法制作氮化硅薄膜作为电容绝缘层。采用本发明的方法，沉积的氮化硅薄膜的致密性高，降低了氮化硅薄膜中空洞出现的几率，显著提高击穿电压，并降低漏电电流，进而提高器件的可靠性和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105336574A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410387498.1 | 申请日期 | 2014.08.07 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 雷天飞;秦仁刚 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 汪洋;高伟 |
| 主权项 | 一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上采用等离子增强型化学气相沉积法分两步沉积氮化硅薄膜，包括：步骤一、预沉积，所述预沉积具有较低的沉积速率；步骤二、进行主沉积直到达到氮化硅薄膜的预定厚度，所述主沉积具有较高的沉积速率。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||