| 发明名称 | 一种平面型VDMOS器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种平面型VDMOS器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：在外延层上生成栅氧化层，在所述栅氧化层上生成多晶硅层；将所述多晶硅层刻蚀成多晶硅栅；进行离子注入，形成掺杂的多晶硅栅；在所述掺杂的多晶硅栅表面和所述栅氧化层表面形成光刻胶掩膜；在所述掺杂的多晶硅栅上刻蚀出多晶硅栅沟槽；在所述多晶硅栅沟槽和所述掺杂的多晶硅栅表面进行热氧化，形成氧化层。本发明通过改变多晶硅栅的结构，利用氧化层将掺杂的多晶硅栅划分为两部分，在不影响其他参数的情况下降低了栅漏电容。 | ||
| 申请公布号 | CN105336612A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410284234.3 | 申请日期 | 2014.06.23 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种平面型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在外延层上生成栅氧化层，在所述栅氧化层上生成多晶硅层；将所述多晶硅层刻蚀成多晶硅栅；进行离子注入，形成掺杂的多晶硅栅；在所述掺杂的多晶硅栅表面和所述栅氧化层表面形成光刻胶掩膜；在所述掺杂的多晶硅栅上刻蚀出多晶硅栅沟槽；在所述多晶硅栅沟槽和所述掺杂的多晶硅栅表面进行热氧化，形成氧化层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||