| 发明名称 | 场效应管的制造方法和场效应管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种场效应管的制造方法和场效应管，其中，制造方法包括：在硅片中的外延层的表面形成分隔设置的两段栅列，每一段栅列包括栅氧化部和多晶硅部，所述栅氧化部形成在所述外延层和多晶硅部之间；在所述外延层中形成体区；在所述两段栅列之间形成导电硅化物；在所述外延层中形成源区；在所述外延层、两段栅列和导电硅化物的表面形成介质层，并刻蚀接触孔；在所述介质层表面和接触孔中形成金属层，以形成场效应管。本发明提供的场效应管的制造方法和场效应管能够降低场效应管中寄生的氧化物电容和耗尽层电容，以提高场效应管的动态性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105336778A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410356202.X | 申请日期 | 2014.07.24 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 赵圣哲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种场效应管的制造方法，其特征在于，包括：在硅片中的外延层表面形成分隔设置的两段栅列，每一段栅列包括栅氧化部和多晶硅部，所述栅氧化部形成在所述外延层和多晶硅部之间；在所述两段栅列之间形成导电硅化物；在所述外延层中形成体区和源区；在所述外延层、两段栅列和导电硅化物的表面形成介质层，并刻蚀接触孔；在所述介质层表面和接触孔中形成金属层，以形成场效应管。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||