发明名称 |
测试结构、测试结构的制作方法及测试方法 |
摘要 |
本申请公开了一种测试结构、测试结构的制作方法及测试方法。该测试结构包括栅极结构,还包括:至少两组接触孔结构单元,设置于栅极结构的一侧的有源区上,每组接触孔结构单元包括至少一个接触孔结构;以及至少量组金属层,与接触孔结构单元一一对应地设置于每组接触孔结构单元的表面上。在该测试结构中,通过将任意两组接触孔结构单元上的金属层作为电阻测试时的探针接触点以获得测试结构中源漏电阻,从而减小了因测试结构中没有形成栅极结构引起的测试结构和真实器件之间的结构差异,进而减少测试结构中源漏电阻和真实器件中源漏电阻之间的差异,提高了测试结构中源漏电阻的测量值的准确性。 |
申请公布号 |
CN105336728A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201410328202.9 |
申请日期 |
2014.07.10 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
韦庆松;于书坤 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
吴贵明;张永明 |
主权项 |
一种测试结构,包括有源区以及设置于所述有源区上的栅极结构,其特征在于,所述测试结构还包括:至少两组接触孔结构单元,设置于所述栅极结构的第一侧的有源区上,每组所述接触孔结构单元包括至少一个接触孔结构;以及至少两层金属层,与所述接触孔结构单元一一对应地设置于每组所述接触孔结构单元的表面上。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |