发明名称 薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质评价方法
摘要 能简单地评价靶组装体的品质的薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质评价方法。该评价方法包括:第一工序,准备靶组装体,该靶组装体通过在背板上借助结合材料空出间隙地配置多个氧化物靶构件而构成;第二工序,对靶组装体进行溅射而形成薄膜;第三工序,对薄膜的包含与靶组装体的间隙相对应的接缝部分的区域照射激励光及微波,在测定到根据激励光的照射而变化的微波的来自接缝部分的反射波的最大值之后,停止激励光的照射,对停止激励光的照射后的微波的来自接缝部分的反射波的反射率的变化进行测定,算出直到反射率成为1/e的时间作为薄膜的接缝部分的寿命值τ1;第四工序,基于接缝部分的寿命值τ1对靶组装体的品质进行评价。
申请公布号 CN103579036B 申请公布日期 2016.02.17
申请号 CN201310300303.0 申请日期 2013.07.17
申请人 株式会社神户制钢所 发明人 岸智弥;后藤裕史;钉宫敏洋
分类号 H01L21/66(2006.01)I;G01N22/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 雒运朴
主权项 一种靶组装体的品质评价方法,该方法对薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质进行评价,其特征在于,包括:第一工序,准备靶组装体,该靶组装体通过在背板上借助结合材料空出间隙地配置多个氧化物靶构件而构成;第二工序,对所述靶组装体进行溅射而形成薄膜;第三工序,对所述薄膜的包含与所述靶组装体的间隙相对应的接缝部分(A)的区域照射激励光及微波,在测定到根据所述激励光的照射而变化的所述微波的来自所述接缝部分(A)的反射波的最大值之后,停止所述激励光的照射,对停止所述激励光的照射后的所述微波的来自所述接缝部分(A)的反射波的反射率的变化进行测定,算出直到反射率成为1/e的时间作为所述薄膜的所述接缝部分(A)的寿命值τ1;第四工序,基于所述接缝部分(A)的寿命值τ1对靶组装体的品质进行评价。
地址 日本兵库县