改进的肖特基整流器

摘要

一种半导体整流器包括具有第一导电类型的半导体衬底。在衬底上形成的第一层具有第一导电类型，并且比衬底更轻度地被掺杂。具有第二导电类型的第二层形成在衬底上，并且金属层被布置在第二层上方。第二层被轻度掺杂使得在金属层和第二层之间形成肖特基接触。第一电极形成在金属层上方，并且第二电极形成在衬底的背侧上。

主权项

一种半导体整流器，包括：具有第一导电类型的半导体衬底；在所述衬底上形成的第一层，所述第一层具有所述第一导电类型，并且较之所述衬底更轻度地被掺杂；形成在所述衬底上的第二层，所述第二层具有第二导电类型；被布置在所述第二层上方的金属层，其中，所述第二层被轻度掺杂以使得在所述金属层和所述第二层之间形成肖特基接触；形成在所述金属层上方的第一电极和形成在所述衬底的背侧上的第二电极；在所述第一层中形成的至少一个沟槽；衬于所述至少一个沟槽的底部和侧壁的电介质层；以及填充所述至少一个沟槽的导电材料，其中，所述至少一个沟槽包括形成在所述第一层中的多个沟槽，并且所述第二层仅形成在所述第一层中选择的沟槽对之间而非在所有沟槽对之间。