半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，包括：衬底上沿第一方向延伸的多个鳍片，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片的栅极，位于栅极两侧的鳍片上的源漏区以及栅极侧墙，其中，鳍片中具有高迁移率材料构成的沟道层，鳍片至少包围了沟道层的侧面。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过移除假栅极堆叠同时增加刻蚀深度，能在所需的鳍片结构上自对准的局域地形成例如Ge的高迁移率沟道，从而有效提高鳍片沟道区的载流子迁移率，进而有效提高器件性能和可靠性。

主权项

一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙和源漏区；去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；通过栅极沟槽，进一步刻蚀鳍片，在鳍片和/或衬底中形成沟道区沟槽；在沟道区沟槽中外延生长形成沟道层，直至与栅极沟槽底部齐平；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。