一种制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法

摘要

本案为一种制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，包括以下步骤：a.预处理：甩胶和前烘，在干净的滤光片基片上旋涂光刻胶，90℃-100℃烘烤10min以上；b.曝光：把预处理好的滤光片基片置于掩膜板下进行紫外曝光；c.显影和后烘；d.镀制纳米薄膜：在步骤c后的滤光片基片上镀制厚度0.1微米-10微米的纳米薄膜，形成纳米掩膜膜层；e.使用浓度为5％的NaOH溶液或丙酮去除光刻胶，留出需要镀膜的通道；f.在通道上镀制相应的滤光片膜层；g.去掉滤光片基片上的纳米薄膜，留下通道上的滤光片膜层；h.重复步骤a-g，直至完成集成多通道滤光片的制作。本案的方法可以提高集成多通道滤光片的良率。

主权项

一种制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其特征在于，包括以下步骤：预处理：甩胶和前烘，在干净的滤光片基片上旋涂光刻胶，90℃‑100℃烘烤10 min以上；曝光：把预处理好的滤光片基片置于掩膜板下进行紫外曝光；显影和后烘：将曝光后的滤光片基片使用显影液进行显影，显影后在需要镀膜的通道上留光刻胶，在不需要镀膜的区域去掉光刻胶，在烘箱中90℃‑100℃烘干残留在滤光片基片表面的水分；镀制纳米薄膜：在步骤c后的滤光片基片上镀制厚度0.1微米‑10微米的纳米薄膜，形成纳米掩膜膜层；使用浓度为5%的NaOH溶液或丙酮去除光刻胶，留出需要镀膜的通道；在通道上镀制相应的滤光片膜层；去掉滤光片基片上的纳米薄膜，留下通道上的滤光片膜层；重复步骤a‑g，直至完成集成多通道滤光片的制作。