| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多孔低k介电层，在所述多孔低k介电层内形成铜金属互连结构的沟槽和/或通孔；采用氦等离子处理所述多孔低k介电层暴露的表面；对所述多孔低k介电层暴露的表面执行氮等离子处理，以形成薄的氮化硅层；在所述铜金属互连结构的沟槽和/或通孔的底部和侧壁形成扩散阻挡层。根据本发明的制作方法，经过氦气等离子、氮等离子和氩气等离子处理，使多孔低k介电层具有平整光滑致密的表面，提高了与附着于其上的扩散阻挡层之间的粘附力，进而改善器件的可靠性和良率。同时采用上述方法所获得器件具有高的可靠性和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105336680A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410398110.8 | 申请日期 | 2014.08.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多孔低k介电层，在所述多孔低k介电层内形成铜金属互连结构的沟槽和/或通孔；采用氦等离子处理所述多孔低k介电层暴露的表面；对所述多孔低k介电层暴露的表面执行氮等离子处理，以形成薄的氮化硅层；在所述铜金属互连结构的沟槽和/或通孔的底部和侧壁形成扩散阻挡层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||