发明名称 |
接触插塞的形成方法 |
摘要 |
一种接触插塞的形成方法,包括:提供包括接触孔区和无接触孔区的衬底;在接触孔区形成至少一个第一MOS晶体管,在无接触孔区形成至少一个第二MOS晶体管;在衬底、第一和第二MOS晶体管上形成介质层;在无接触孔区的介质层内形成至少一个牺牲开口,牺牲开口位于第二MOS晶体管区域的上方;在接触孔区的介质层内形成至少一个接触孔,接触孔的底部分别露出第一MOS晶体管的源极、漏极和栅极结构的至少其中一个;采用导电层填充满牺牲开口和接触孔,分别形成牺牲插塞和接触插塞;去除介质层上的导电层、牺牲插塞、部分厚度的介质层及部分接触插塞,使剩余厚度的介质层顶部与接触插塞顶部齐平。采用本发明的方法能提高半导体器件的性能。 |
申请公布号 |
CN105336676A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201410367341.2 |
申请日期 |
2014.07.29 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张城龙;周俊卿;何其暘 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华;吴敏 |
主权项 |
一种接触插塞的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括接触孔区和无接触孔区;在所述接触孔区形成至少一个第一MOS晶体管,在所述无接触孔区形成至少一个第二MOS晶体管;在所述半导体衬底、第一MOS晶体管和第二MOS晶体管上形成介质层;在所述无接触孔区的介质层内形成至少一个牺牲开口,所述牺牲开口位于所述第二MOS晶体管区域的上方;在所述接触孔区的介质层内形成至少一个接触孔,所述接触孔的底部分别露出第一MOS晶体管中的源极、漏极和栅极结构的至少其中一个;采用导电层填充满所述牺牲开口和所述接触孔,分别形成牺牲插塞和接触插塞;去除所述介质层上的导电层、所述牺牲插塞、部分厚度的介质层及部分接触插塞,使剩余厚度的介质层顶部与接触插塞顶部齐平。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |