发明名称 |
鳍式场效应晶体管及其形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法。鳍式场效应晶体管的形成方法包括,向半导体衬底内注入离子,在半导体衬底内形成掺杂有离子的第一区域,半导体衬底的其他区域为第二区域;刻蚀第一区域和第二区域,以形成鳍,第一区域的刻蚀速率小于第二区域的刻蚀速率,使鳍包括刻蚀第一区域形成的离子注入层,离子注入层的宽度大于离子注入层上方鳍的宽度;之后,在半导体衬底上形成介质层,介质层露出离子注入层,并形成横跨鳍的栅极,在鳍中形成源漏区。离子注入层可有效抑制向鳍内注入源漏离子时的源漏离子扩散,从而能减小源漏区内离子的深度,进而在使用过程中降低在鳍与介质层交界处的积聚的固定电荷量,改善鳍式场效应晶体管的电学性能。 |
申请公布号 |
CN105336773A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201410261126.4 |
申请日期 |
2014.06.12 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张海洋;张璇 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
高静;骆苏华 |
主权项 |
一种鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底;向所述半导体衬底内注入离子,在所述半导体衬底内形成掺杂有所述离子的第一区域,半导体衬底的其他区域为第二区域;刻蚀所述半导体衬底的第一区域和第二区域,以形成鳍,所述第一区域的刻蚀速率小于所述第二区域的刻蚀速率,使所述鳍包括刻蚀所述第一区域形成的离子注入层,且所述离子注入层的宽度大于所述离子注入层上方鳍的宽度;在所述鳍露出的半导体衬底上形成介质层,所述介质层露出所述离子注入层;在所述介质层上形成横跨所述鳍的栅极;在所述栅极露出的鳍中形成源漏区。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |