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发明名称 半導体不揮発性メモリ装置
摘要
申请公布号 JP5859873(B2) 申请公布日期 2016.02.16
申请号 JP20120036674 申请日期 2012.02.22
申请人 セイコーインスツル株式会社 发明人 鷹巣 博昭
分类号 H01L21/336;G11C16/04;H01L21/28;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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