Semiconductor device having impurity doped polycrystalline layer including impurity diffusion prevention layer therein and dynamic random memory device using the same

摘要

본 발명의 반도체 소자는 반도체 기판과, 반도체 기판을 노출시키는 콘택홀을 갖는 절연층과, 콘택홀을 매립하는 폴리실리콘층을 포함하여 이루어진다. 폴리실리콘층은, 콘택홀 내에 형성되고 불순물이 도핑되어 있는 제1 폴리실리콘층과, 콘택홀 내에서 제1 폴리실리콘층 상에 형성된 불순물 확산 방지층과, 콘택홀을 매립하도록 불순물 확산 방지층 상에 형성되고, 불순물이 도핑되어 있는 제2 폴리실리콘층을 포함한다. 불순물 확산 방지층은 제2 폴리실리콘층에 포함된 불순물이 절연층 및 반도체 기판으로 확산되지 않도록 구성되고, 불순물 확산 방지층은 탄소 또는 산소가 포함된 물질층으로 구성된다.