摘要 |
원하는 밴드 갭을 확실하게 얻을 수 있는 유기 반도체막을 제공한다. 초고진공 성막 장치(10)에 있어서, 원료 셀(12)로부터 분체인 5, 5', 5'', 5''', 5'''', 5'''''-헥사브로모시클록헥사-m-페닐렌(CHP)을 열에너지를 부여해서 승화시키고, 기판 G의 촉매 금속층 M에 CHP의 분자를 충돌시켜서 브롬을 탈리시키고, 생성된 복수의 페닐라디칼을 울만 반응에 의해 서로 중합시켜서, 탄소 원자의 이차원 네트워크 구조를 형성한다. |