发明名称 |
METAL NITRIDE MATERIAL FOR THERMISTORS, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND FILM-TYPE THERMISTOR SENSOR |
摘要 |
필름 등에 비소성으로 직접 성막할 수 있고, 높은 내열성을 가지며 신뢰성이 높은 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서를 제공한다. 서미스터에 사용되는 금속 질화물 재료로서, 일반식 : VAlN(0.70 ≤ y/(x + y) ≤ 0.98, 0.4 ≤ z ≤ 0.5, x + y + z = 1) 로 나타내는 금속 질화물로 이루어지고, 그 결정 구조가 육방정계의 우르츠광형의 단상이다. 이 서미스터용 금속 질화물 재료의 제조 방법은, V-Al 합금 스퍼터링 타깃을 사용하여 질소 함유 분위기 중에서 반응성 스퍼터를 실시하여 성막하는 성막 공정을 갖고 있다. |
申请公布号 |
KR20160016819(A) |
申请公布日期 |
2016.02.15 |
申请号 |
KR20157034308 |
申请日期 |
2014.05.26 |
申请人 |
MITSUBISHI MATERIALS CORP. |
发明人 |
FUJITA TOSHIAKI;TANAKA HIROSHI;NAGATOMO NORIAKI |
分类号 |
H01C7/04;C23C14/00;C23C14/06;C30B23/02;C30B29/38;G01K7/22;H01C7/00;H01C17/12 |
主分类号 |
H01C7/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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