| 摘要 |
반도체 발광 소자는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층; 반도체 적층의 p형 반도체층 측에서 발광층을 관통하고 n형 반도체층을 노출하는 복수의 비아 홀; p형 반도체층의 둘레 가장자리 및 복수의 비아 홀 각각에서 이격되고, p형 반도체층 위에 연장하고, 광반사성을 가지는 p측 전극; 복수의 비아 홀의 바닥면을 노출하고, 비아 홀 내측면을 덮고, 제2 반도체측 전극의 둘레 가장자리부 위까지 연장하는 절연층; 및 복수의 비아 홀 각각의 바닥부에서 n형 반도체층과 전기적으로 접속하고, 절연층을 통하여 p형 반도체층 및 p측 전극의 상방에 유도되고, p측 전극에 평면시 상, 간격 없이, 오버랩하여 배치된, 광반사성을 가지는 복수의 n측 전극을 포함한다. |
