| 摘要 |
本発明は、基板の表面上にナノワイヤ（ＮＴｎ）の配列を作製するプロセスであって、前記ナノワイヤが、電気的又は光学的制御の作用の下で少なくとも１つの波長（λ）で放射線を放射することが可能な部分を含み、かつ少なくとも部分的に導電性上部層（６０）を介して互いに電気的に接続されているプロセスにおいて、活性ナノワイヤ（ＮＴｊ）の中で不良ナノワイヤ（ＮＴｉ）のサブセットを特定することができる工程を含み、前記工程が、− 前記放射波長（λ）に感受性のあるネガ型フォトレジストの層を製造し、前記ナノワイヤの前記配列を覆う段階と、− 電気的制御又は光学的制御の下で前記ナノワイヤの配列を活性化することにより、前記活性ナノワイヤが前記放射線を放射し、前記放射線が前記ネガ型レジストの溶解度を低下させる段階と、− 前記不良ナノワイヤ（ＮＴｉ）と同じ水準の前記レジストを現像し、溶解度を低下させた区域を残し、前記活性ナノワイヤ（ＮＴｊ）を囲む段階と、− 前記不良ナノワイヤの上方の前記導電性層を除去する段階と、を含むことを特徴とするプロセスに関する。本発明は、本発明のプロセスを使用して１つ又は複数の発光ダイオードを作製するプロセスにも関する。 |
