| 摘要 |
n형 반도체 기판(1)은, 활성 영역과, 활성 영역보다 바깥쪽에 배치된 종단 영역을 갖는다. 활성 영역에 있어서 n형 반도체 기판(1)의 상면의 일부에 p형 애노드층(2)이 형성되어 있다. 종단 영역에 있어서 n형 반도체 기판(1)의 상면에 복수의 p형 가드링층(3)이 형성되어 있다. n형 반도체 기판(1)의 하면에 n형 캐소드층(5)이 형성되어 있다. p형 애노드층(2)에 애노드 전극(6)이 접속되어 있다. n형 캐소드층(5)에 금속제의 캐소드 전극(7)이 접속되어 있다. 종단 영역에 있어서 n형 캐소드층(5)이 파여서 오목부(8)가 형성되어 있다. 캐소드 전극(7)이 오목부(8) 내에도 형성되어 있다. |
