发明名称 Device for Charge and UV Analysis
摘要 양의 전하 발생량, 음의 전하 발생량 및 UV 발생량 중 적어도 하나를 분석하기 위한 장치를 제공한다. 상기 장치는 상기 양의 전하 발생량에 따른 문턱 전압 변화량을 알기 위한 제1 소자, 상기 음의 전하 발생량에 따른 문턱 전압 변화량을 알기 위한 제2 소자, 및 상기 UV 발생량에 따른 문턱 전압 변화량을 알기 위한 제3 소자 중 적어도 하나의 소자가 형성된 기판을 포함한다. 상기 제1 내지 제3 소자들의 각각은 상기 기판에 제공되어 제1 도전형의 제1 및 제3 활성영역들을 한정함과 아울러 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 제2 및 제4 활성영역들을 한정하는 제1 소자분리 영역; 상기 제1 활성영역 내에 서로 이격되도록 제공되며 상기 제2 도전형을 갖는 제1 불순물 영역들; 상기 제1 불순물 영역들 사이의 상기 제1 활성영역 상부를 가로지르며 상기 제2 활성 영역의 상부로 연장되는 플로팅 게이트; 상기 제2 활성영역 내에 제공되며 상기 제1 도전형을 갖는 제2 불순물 영역; 및 상기 제2 불순물 영역과 전기적으로 연결된 도전성 구조체를 포함한다.
申请公布号 KR101593604(B1) 申请公布日期 2016.02.12
申请号 KR20090103769 申请日期 2009.10.29
申请人 삼성전자주식회사 发明人 토카시키 켄
分类号 G01R19/12;H01L21/66 主分类号 G01R19/12
代理机构 代理人
主权项
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