RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP

摘要

복사 방출 반도체칩(1)이 기술되며, 상기 반도체칩은 캐리어(5), 반도체층 시퀀스를 구비한 반도체 몸체(2), 제1접촉부(35) 및 제2접촉부(36)을 포함한다. 상기 반도체층 시퀀스는 복사 생성을 위해 제공된 활성 영역(20)을 포함하고, 상기 활성 영역은 제1반도체층(21)과 제2반도체층(22) 사이에 배치된다. 캐리어(5)는 반도체 몸체(2)를 향한 주요면(51)을 포함한다. 제1반도체층(21)은 캐리어(5)의 주요면(51)을 향한 활성 영역(20)의 측에 배치되고, 제1접촉부(35)을 이용하여 전기적으로 접촉될 수 있다. 제2반도체층(22)은 제2접촉부(36)을 이용하여 전기적으로 접촉될 수 있다. 보호 다이오드(4)는 제1접촉부(35)과 제2접촉부(36)의 사이에서 캐리어(5)를 관통하여 연장되는 전류 경로에 형성된다.