Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur en silicium,申请号FR19610853694-传众专利搜索

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发明名称	Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur en silicium
摘要
申请公布号	FR1331912(A)	申请公布日期	1963.07.12
申请号	FR19610853694	申请日期	1961.02.23
申请人	SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT	发明人
分类号	H01L23/488;H01L23/492	主分类号	H01L23/488
代理机构		代理人
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