双凹沟槽式萧基能障元件

摘要

萧基能障元件，包括一半导体基材、一第一接触金属层、一第二接触金属层和一氧化层。半导体基材具有相对之一第一表面和一第二表面，于第一表面处具有复数个沟槽，每沟槽包括一第一凹槽具有一第一深度和一第二凹槽具有一第二深度，第二凹槽系自第一表面向下延伸，第一凹槽系于第二凹槽中往下延伸，使第一深度大于第二深度。第一接触金属层，至少形成于第二凹槽。第二接触金属层形成于相邻两沟槽之间的第一表面上。氧化层形成于第一凹槽。其中，第一接触金属层系与半导体基材形成一第一萧基能障，第二接触金属层系与半导体基材形成一第二萧基能障，第一萧基能障大于第二萧基能障。

主权项

一种萧基能障元件，包括：一半导体基材，具有相对之一第一表面和一第二表面，于该第一表面处具有复数个沟槽，每该沟槽包括一第一凹槽具有一第一深度和一第二凹槽具有一第二深度，该第二凹槽系自该第一表面向下延伸，该第一凹槽系于该第二凹槽中往下延伸，该第一深度大于该第二深度；一第一接触金属层，至少形成于该第二凹槽之表面；一第二接触金属层，形成于相邻两该沟槽之间的该第一表面上；和一氧化层，形成于该第一凹槽之表面，其中，该第一接触金属层系延伸覆盖该第二接触金属层，其中，该第一接触金属层系与该半导体基材形成一第一萧基能障，该第二接触金属层系与该半导体基材形成一第二萧基能障，该第一萧基能障大于该第二萧基能障。