发明名称 |
薄膜电晶体及显示装置 |
摘要 |
一个实施例,显示装置包含薄膜电晶体。薄膜电晶体包含闸极绝缘膜、半导体层、闸极电极、第一及第二通道保护膜、第一及第二导电层、及钝化膜。半导体层系设于闸极绝缘膜的主表面上。半导体层包含第一至第七部份。闸极绝缘膜系配置在半导体层与闸极电极之间。第一通道保护膜遮盖第三部份。第二通道保护膜遮盖第五及第四部份、及第一通道保护膜的上表面。第一导电层遮盖第六部份。第二导电层遮盖第七部份。钝化膜遮盖第一及第二部份、第一及第二导电层、及第二通道保护膜。
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申请公布号 |
TWI521716 |
申请公布日期 |
2016.02.11 |
申请号 |
TW102109038 |
申请日期 |
2013.03.14 |
申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
中野慎太郎;三浦健太郎;斉藤信美;坂野竜则;上田知正;山口一 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种显示装置,包括薄膜电晶体,该薄膜电晶体包含:闸极绝缘膜,具有主表面;半导体层,系在该主表面的一部份上,该半导体层包含:第一部份,第二部份,在与该主表面平行的平面中与该第一部份分离,第三部份,系在该第一部份与该第二部份之间,第四部份,系在该第一部份与该第三部份之间,第五部份,系在该第二部份与该第三部份之间,第六部份,系在该第一部份与该第四部份之间,以及第七部份,系在该第二部份与该第五部份之间;闸极电极,该闸极绝缘膜系配置在该半导体层与该闸极电极之间;第一通道保护膜,遮盖该半导体层的该第三部份;第二通道保护膜,遮盖该第五部份、该第四部份、及该第一通道保护膜的上表面;第一导电层,遮盖该第六部份,该第二通道保护膜的一部份系配置在该第一导电层与该第四部份之间;第二导电层,遮盖该第七部份,该第二通道保护膜的一部份系配置在该第二导电层与该第五部份之间;以及
钝化膜,遮盖该第一部份、该第二部份、该第一导电层、该第二导电层、及该第二通道保护膜,该钝化膜物理性地接触该第一部份及该第二部份,并且该钝化膜包含不小于1.0×1020原子/cm3的氢,其中,该第四部份包含在该第二通道保护膜的侧上的一部份,以及该第四部份之在该通道保护膜的该侧上的该部份的电阻率系不小于1.0×105Ω.cm。
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地址 |
日本 |