抗重复突崩崩溃之电晶体电源切换装置

摘要

明揭示一种电晶体电源切换装置(400、700)，其包括呈现相对之第一及第二面(104、106)之一半导体本体(101)，该切换装置包括用于在该第一及该第二面(104、106)之间携载电流之立式场效应电晶体元件(108)之一阵列，该电晶体元件(108)之阵列包括：在第一面(104)处具有第一半导体类型之源极区域(114)之一阵列；至少一个插入于源极区域(114)与第二面(106)之间之具有与第一类型相反之一第二半导体类型的本体区域(122、124、126)；及至少一个用于可切换地控制电流流经第二电晶体区域(122、124、126)的控制电极(116)；以及接触源极区域(114)并藉由至少一个绝缘层(120、121)而与控制电极(116)绝缘之一导电层(110)。与导电层(110)接触之该等立式电晶体元件(108)之各者的源极区域(114)包括：复数个在第一面(104)处朝该阵列之一邻近立式电晶体元件(108)之一源极区域(114)之一臂径向延伸的臂；至少一个本体区域(122、124、126)，其在源极区域(114)之臂的周围及下方延伸，且在源极区域之各者内向上延伸，以在邻近该等源极区域(114)之臂之各者之一末端之一接触位置(402)处接触在第一面(104)处之导电层(110)。

主权项

一种电晶体电源切换装置(400、700)，其包括呈现相对之第一及第二面(104、106)之一半导体本体(101)，该切换装置包括用于在该等第一及第二面(104、106)之间携载电流之立式场效应电晶体元件(108)之一阵列，电晶体元件(108)之该阵列包括：在该第一面(104)处具有一第一半导体类型之源极区域(114)之一阵列；至少一个插入于该等源极区域(114)与该第二面(106)之间之具有与该第一类型相反之一第二半导体类型的本体区域(122、124、126)；至少一个与该第二面(106)电气连接之具有该第一半导体类型的汲极区域(102)；及至少一个用于可切换地控制该电流流经该至少一个本体区域(122、124、126)的控制电极(116)；以及接触该等源极区域(114)且藉由至少一个绝缘层(120、121)而与该控制电极(116)绝缘之一导电层(110)，其中接触该导电层(110)之该等立式电晶体元件(108)之各者之该源极区域(114)包括：复数个在该第一面(104)处朝该阵列之一邻近立式电晶体元件(108)之一源极区域(114)之一臂径向延伸的臂；该至少一个本体区域(122、124、126)，其在该等源极区域(114)之该等臂的周围及下方延伸及在该等立式电晶体元件(108)之间合并以形成一连续的本体区域，且该至少一个本体区域(122、124、126)在该等源极区域之各者中向上延伸，以在邻近该等源极区域(114)之该等臂之各者之一末端之一接触位置
(402)处接触在该第一面(104)处之该导电层(110)。