发明名称 |
形成电组件及记忆体单元之方法 |
摘要 |
实施例包括形成电组件之方法。在一第一结构之上形成第一暴露之表面组态及第二暴露之表面组态,且接着跨越该等表面组态形成材料。在两个或两个以上域当中再分该材料,其中该等域中之一第一者系藉由该第一表面组态诱发,且该等域中之一第二者系藉由该第二表面组态诱发。接着在该材料之上形成一第二结构。该材料之该等第一域并入至电组件中。该等第二域可由介电材料替换以在邻近电组件之间提供隔离,或可用作邻近电组件之间的介入区。 |
申请公布号 |
TWI521647 |
申请公布日期 |
2016.02.11 |
申请号 |
TW100139633 |
申请日期 |
2011.10.31 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
西利士 史考特E;米迪 罗伊E |
分类号 |
H01L21/8242(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L27/115(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8242(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种形成电组件及该等电组件之间的介入区之方法,该方法包含:在第一结构之上形成两个或两个以上暴露之表面组态;该等表面组态中之一者为一第一组态且该等表面组态中之另一者为一第二组态,该第一表面组态及该第二表面组态至少具有相对于彼此不同的纹理化;跨越该等表面组态形成材料;该材料包含两个或两个以上域;该等域中之一第一者系藉由该第一表面组态诱发,且该等域中之一第二者系藉由该第二表面组态诱发;在该材料之上形成第二结构;该等第一域并入至在该等第一结构与该等第二结构之间的重叠区处之电组件中;及移除该等第二域并藉由介电材料替换该等第二域以提供该介电材料作为邻近电组件之间的介入区,抑或直接利用该等第二域作为邻近电组件之间的介入区。
|
地址 |
美国 |