半导体结晶性评估装置及其方法

摘要

本发明的半导体结晶性评估装置及半导体结晶性评估方法是利用μ-PCD法来评估半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评估时，具有指定厚度的介电体板被设置在前述半导体膜中激励光及电磁波所照射的面侧。因此，这样的半导体结晶性评估装置及半导体结晶性评估方法在利用μ-PCD法来评估半导体膜的结晶性时，即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下，也因为设置了前述介电体板而能够评估半导体膜的结晶性。

主权项

一种半导体结晶性评估装置，系具备：激励光照射部，向着形成在具有电气导电性的导电性膜上的作为评估对象的半导体膜照射指定的激励光；电磁波照射部，向着前述半导体膜照射波长λ的电磁波；介电体板，设置在前述半导体膜中前述激励光及所述电磁波所照射的面侧，由对于前述激励光具有透光性的介电体形成；检测部，检测被前述半导体膜反射的前述电磁波的反射波的强度；评估部，根据前述检测部的检测输出来评估前述半导体膜的结晶性。