半导体元件及其制造方法

摘要

半导体元件的制造方法，包括下列步骤。首先，提供基底，基底上已形成有第一介电层，第一介电层中具有沟渠，于沟渠两侧的基底中已形成有源极/汲极区，且于沟渠中的基底上已形成有第二介电层。接着，进行一个第一物理气相沈积制程，以于沟渠中形成一含Ti金属层。然后，进行一个第二物理气相沈积制程，以于沟渠中的含Ti金属层上形成一Al层。接下来，进行一个热制程，使含Ti金属层与Al层进行热回火，以形成功函数金属层。之后，形成填满沟渠的金属层。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有一第一介电层，该第一介电层中具有一沟渠，于该沟渠两侧的该基底中已形成有一源极/汲极区，且于该沟渠中的该基底上已形成有一第二介电层；进行一第一物理气相沈积制程，以于该沟渠中形成一含Ti金属层；进行一第二物理气相沈积制程，以于该沟渠中的该含Ti金属层上形成一Al层；进行一热制程，使该含Ti金属层与该Al层进行热回火，以形成一功函数金属层；以及形成填满该沟渠的一金属层。