发明名称 |
具有鳍状结构之场效电晶体之制法及由其所制得之具有鳍状结构之场效电晶体 |
摘要 |
制造具有鳍状结构之场效电晶体的方法,其中,使基底上形成有至少一鳍状结构,形成平坦之绝缘层覆盖鳍状结构。于绝缘层形成一沟渠,使沟渠在其长度方向与鳍状结构之长度方向彼此相交,而使鳍状结构随着沟渠位置露出一上部。于沟渠中形成一闸极结构以覆盖鳍状结构所露出的上部,此鳍状结构所露出的上部,即闸极通道区。可进一步对此鳍状结构所露出的上部修整宽度,故,本发明亦有关一种具有鳍状结构之场效电晶体,其中闸极通道区的宽度小于各源/汲极区的宽度,以及,闸极结构有二侧壁分别与源极区及汲极区互相面对的二侧壁接触。 |
申请公布号 |
TWI521603 |
申请公布日期 |
2016.02.11 |
申请号 |
TW100138832 |
申请日期 |
2011.10.26 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
王志荣;陈东郁 |
分类号 |
H01L21/335(2006.01);H01L27/085(2006.01);H01L29/739(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/335(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
吴丰任;戴俊彦 |
主权项 |
一种制造具有鳍状结构之场效电晶体的方法,包括:提供一基底;使该基底上形成有至少一鳍状结构;于该基底上形成一平坦之第一绝缘层,并覆盖该鳍状结构;部分移除该第一绝缘层至一深度,形成一沟渠,使该沟渠位于该鳍状结构上方并与该鳍状结构相交,以使该鳍状结构随着该沟渠位置而露出一上部;及于该沟渠中形成一闸极结构以覆盖该鳍状结构所露出的上部。
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |