半导体装置以及形成半导体装置的方法

摘要

明提供一种半导体装置以及形成半导体装置的方法。半导体装置包括复数个主动区且设置于一半导体基材中。形成半导体装置的方法包括使用一第一雷射沿一第一扫描方向对半导体基材进行一第一退火处理，以及使用一第二雷射沿一第二扫描方向对半导体基材进行一第二退火处理，其中第一扫描方向与第二扫描方向具有一夹角。

主权项

一种形成半导体装置的方法，包括：提供一半导体基材；使用一第一雷射沿一第一扫描方向对该半导体基材进行一第一退火处理，该第一雷射设定有复数个第一扫描路径，且各该第一扫描路径之边缘可呈现弧形排列，使得该等第一扫描路径覆盖的区域完全与该半导体基材的表面区域重合；使用一第二雷射沿一第二扫描方向对该半导体基材进行一第二退火处理，该第二雷射设定有复数个第二扫描路径，各该第二扫描路径之边缘可呈现弧形排列，使得该等第二扫描路径覆盖的区域完全与半导体基材的表面区域重合，其中该第一扫描方向与该第二扫描方向具有一夹角。