发明名称 |
奈米双晶镍金属层、其制备方法、及包含其之电性连接结构、基板及封装结构 |
摘要 |
明系关于一种电镀沉积之奈米双晶镍金属层;其中,奈米双晶镍金属层之50%以上的体积包括复数个镍晶粒,镍晶粒彼此间系互相连接,每一镍晶粒系由复数个奈米双晶镍沿着[111]晶轴方向堆叠而成,相邻之镍晶粒间之堆叠方向之夹角系0至20度,且奈米双晶镍金属层之至少60%的表面系(111)面。此外,本发明更提供前述奈米双晶镍金属层之制备方法及包含其之电性连接结构、基板及封装结构。
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申请公布号 |
TWI521104 |
申请公布日期 |
2016.02.11 |
申请号 |
TW103115878 |
申请日期 |
2014.05.02 |
申请人 |
国立交通大学 |
发明人 |
陈智;朱奕丞 |
分类号 |
C25D7/12(2006.01) |
主分类号 |
C25D7/12(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
苏建太;林志鸿 |
主权项 |
一种电镀沉积之奈米双晶镍金属层,其中该奈米双晶镍金属层之50%以上的体积包括复数个镍晶粒,该复数个镍晶粒彼此间系互相连接,该每一镍晶粒系由复数个奈米双晶镍沿着[111]晶轴方向堆叠而成,相邻之该镍晶粒间之堆叠方向之夹角系0至20度,且该奈米双晶镍金属层之至少60%的表面系(111)面;其中该奈米双晶镍金属层之厚度为0.01μm-5μm;以及该镍晶粒之直径系0.001μm-5μm;其中,包括一奈米双晶铜晶种层,层叠于该奈米双晶镍金属层下,其中该奈米双晶铜晶种层之50%以上的体积包括复数个铜晶粒,该复数个铜晶粒彼此间系互相连接,该每一铜晶粒系由复数个奈米双晶铜沿着[111]晶轴方向堆叠而成,相邻之该铜晶粒间之堆叠方向之夹角系0至20度。
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地址 |
新竹市大学路1001号 |