| 发明名称 | 形成矽氧化物膜的方法 | ||
| 摘要 | 形成矽氧化物膜之方法，包含：在基部上形成晶种层；在晶种层上形成矽膜；以及藉由氧化矽膜及晶种层而在基部上形成矽氧化物膜。 | ||
| 申请公布号 | TWI521086 | 申请公布日期 | 2016.02.11 |
| 申请号 | TW101139777 | 申请日期 | 2012.10.26 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 村上博纪;池内俊之;佐藤润;两角友一朗;长谷部一秀 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01);C23C16/42(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | C23C16/40(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
| 主权项 | 一种形成矽氧化物膜的方法，该方法包含：在基部上形成一晶种层；在晶种层上形成一矽膜；以及藉由氧化该矽膜及该晶种层而在该基部上形成矽氧化物膜，其中藉由在该基部上吸附胺基矽烷基气体、等于或高于三矽烷的较高阶矽烷基气体、或氯矽烷基气体而形成该晶种层，以及藉由在该晶种层上供应低于或等于二矽烷的较低阶矽烷基气体、胺基矽烷基气体、或氯矽烷基气体而形成该矽膜。 | ||
| 地址 | 日本 | ||