发明名称 雷射处理装置
摘要 明提供一种雷射处理装置。藉由具有复数个圆柱透镜之圆柱透镜阵列,将例如8个平板状的雷射光束加以整形,使其照射在基板上的a-Si膜。而使基板移动此雷射光束的照射区域之差距G,以差距G在基板上形成细长的照射区域。以此差距G作为画素间距,因此在画素区域中,可仅以画素电晶体的形成预定区域作为照射区域。因此,可加快将a-Si膜改质为多晶矽膜之回火处理等雷射处理,并可缩短产距时间。
申请公布号 TWI521563 申请公布日期 2016.02.11
申请号 TW101116692 申请日期 2012.05.10
申请人 V科技股份有限公司 发明人 水村通伸;火田中诚
分类号 H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);B23K26/06(2014.01);B23K26/08(2014.01) 主分类号 H01L21/20(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项 一种雷射处理装置,具有:雷射光源,发出脉冲雷射光;复数个圆柱透镜,将来自该雷射光源的脉冲雷射光加以整形,使得基板上的照射区域形成为复数条之带状照射区域;以及控制装置,进行控制,使得该基板与该圆柱透镜沿着该带状照射区域的宽度方向及长边方向相对移动;该雷射处理装置之特征为:该圆柱透镜在与其长边方向垂直的方向上以一定间距彼此平行配置;该控制装置控制该雷射光源的发光及该基板与该圆柱透镜之相对移动,俾于该基板上的第1区域照射脉冲雷射光,使得该带状照射区域沿其宽度方向成第1间距;并于第2区域照射脉冲雷射光,使得该带状照射区域沿其宽度方向成小于该第1间距的第2间距。
地址 日本
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