| 发明名称 | 极紫外光光阻敏感性降低 | ||
| 摘要 | 一种图案化基板(110、310、410、606)的方法。该方法包含：在一基板(110、310、410、606)上形成一辐射敏感材料层(120、320、420、616)；及利用一微影制程在该辐射敏感材料层(120、320、420、616)之中制备一图案(122、321、422、612)，其中该图案(122、321、422、612)以一关键尺寸(CD)(124、325、618)及一粗糙度(125、424、649)为其特征。在该该辐射敏感材料层(120、320、420、616)之中制备图案(122、321、422、612)之后，该方法更包含执行一CD缩减制程以将CD(124、325、618)降低至一经降低的CD(134、326、335、648)，及执行一汽相平滑化制程以将粗糙度(125、424、649)降低至一经降低的粗糙度(135、425、669)。 | ||
| 申请公布号 | TWI521561 | 申请公布日期 | 2016.02.11 |
| 申请号 | TW102130646 | 申请日期 | 2013.08.27 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 修里 里欧;海哲 大卫 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
| 主权项 | 一种图案化一基板的方法，包含：提供一基板，该基板具有一极紫外光(EUV)光阻层，该极紫外光光阻层以一目标关键尺寸(CD)为特征；选择待形成于该EUV光阻层之中的一图案的一目标CD；选择一目标曝光剂量，用于将该EUV光阻层暴露于EUV辐射，以达成在该EUV光阻层的该目标CD；将该EUV光阻层暴露于低于该目标曝光剂量的一第一曝光剂量的该EUV辐射，且将该EUV光阻层显影，以达成具有大于该目标CD的一第一CD的该图案，该图案具有一第一粗糙度；执行一CD缩减制程，以将该第一CD缩减至一第二CD，该第二CD实质上等于该目标CD；及选用性执行一平滑化制程，以将该第一粗糙度降低至一第二粗糙度。 | ||
| 地址 | 日本 | ||