发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
摘要 Eine Halbleitervorrichtung umfasst: ein Halbleiterträgermaterial; eine Basis oberhalb des Halbleiterträgermaterials; einen ersten leitenden Anschluss in der Basis; einen Speicherzellenbereich in der Basis; und einen Logikschaltkreisbereich, verbunden mit dem Speicherzellenbereich, wobei der Logikschaltkreis einen ersten Kondensator umfasst. Der erste Kondensator umfasst: eine erste untere Elektrode, wobei ein Teil einer unteren Oberfläche der ersten unteren Elektrode in Kontakt mit dem ersten leitenden Anschluss ist; einen ersten isolierenden Film auf der ersten unteren Elektroden; und eine erste obere Elektrode auf dem ersten isolierenden Film. Die erste obere Elektrode ist, in einer Planaransicht, in einem Abstand von dem ersten leitenden Anschluss angeordnet.
申请公布号 DE102015213920(A1) 申请公布日期 2016.02.11
申请号 DE201510213920 申请日期 2015.07.23
申请人 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED 发明人 SAITO, HITOSHI;WANG, WENSHENG
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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