| 发明名称 | 晶圆结构以及应用其的功率元件 | ||
| 摘要 | 明提供了一种晶圆结构以及应用其的功率元件，其中所述晶圆结构包括高浓度掺杂的第一掺杂层；依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，所述第三掺杂层为本徵层。依据本发明的实施例不仅可以提高功率元件的耐压，同时击穿电压的稳定性也得到了较大的改善，并具有更强的程序容差能力和更高的终端可靠性。 | ||
| 申请公布号 | TWI521568 | 申请公布日期 | 2016.02.11 |
| 申请号 | TW102144435 | 申请日期 | 2013.12.04 |
| 申请人 | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 | 发明人 | 廖忠平 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/22(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
| 主权项 | 一种晶圆结构，其特征在于，包括：高浓度掺杂的第一掺杂层；依次位于该第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，该第三掺杂层为本徵层。 | ||
| 地址 | 中国 | ||