发明名称 |
由阵列阶层隔开之装置阶层中具解码装置之记忆体装置结构 |
摘要 |
记忆体装置结构与制造记忆体装置结构的方法。记忆体装置结构具有记忆体阵列与周边电路,而记忆体阵列形成在阵列阶层,周边电路包括解码装置与其他周边电路,而周边电路形成在装置阶层中。记忆胞阵列具有一边缘,边缘定义柱体,而柱体延伸至记忆胞阵列的上方与下方。解码装置与其他周边电路或至少部分解码装置与其他周边电路设置在装置阶层中的柱体内。记忆体装置结构亦包括在垫阶层中的复数个垫片。第一复数条层间导电线电性耦接解码装置至在记忆胞阵列中的位元线与字元线。
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申请公布号 |
TWI521533 |
申请公布日期 |
2016.02.11 |
申请号 |
TW102100174 |
申请日期 |
2013.01.04 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
陈士弘 |
分类号 |
G11C5/06(2006.01);G11C7/18(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
G11C5/06(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉;林素华 |
主权项 |
一种记忆体装置,包括:一记忆胞阵列,系在一阵列阶层中,该记忆胞阵列具有复数个侧边,该些侧边定义一边缘;一x-解码装置与一y-解码装置,系在一装置阶层中,该x-解码装置与该y-解码装置其中一个或两者是至少部分地设置在一柱体内,该柱体由该边缘所定义;以及复数条层间导电线,系电性连接在该装置阶层内的该x-解码装置与该y-解码装置至该阵列阶层中的复数条位元线与复数条字元线,该些层间导电线具有复数个部分,该些部分在该阵列阶层中从该柱体外侧延伸到该柱体内侧以在该阵列阶层中形成接触,该些层间导电线未穿过在该柱体内的该记忆胞阵列。
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地址 |
新竹县科学工业园区力行路16号 |