静态随机存取记忆体胞及记忆装置

摘要

静态随机存取记忆体胞，包括一第一上拉电晶体、一第二上拉电晶体、一第一下拉电晶体以及一第二下拉电晶体。第一及第二下拉电晶体与第一及第二上拉电晶体构成复数交叉闩锁反相器。一第一传导特征包括一第一区段。第一区段往一第一方向延伸，并连接第一上拉电晶体的一汲极及第一下拉电晶体的一汲极。第一传导特征更包括一第二区段。第二区段往一第二方向延伸。第一方向并未垂直及平行第二方向。第二区段连接第一上拉电晶体的汲极以及第二上拉电晶体的一闸极。

主权项

一种静态随机存取记忆体胞，包括：一第一上拉电晶体，具有一第一主动区以及一第一闸极电极条，该第一主动区作为一第一汲极，该第一闸极电极条作为一第一闸极；一第二上拉电晶体，具有一第二主动区以及一第二闸极电极条，该第二主动区作为一第二汲极，该第二闸极电极条作为一第二闸极，并包括：一第一部分，重叠部分的该第一主动区；一第二部分以及一第三部分，该第二及第三部分的位置相对于该第一部分的位置；一第一下拉电晶体；一第二下拉电晶体，与该第一下拉电晶体及该第一及第二上拉电晶体构成复数交叉闩锁反相器；以及一第一传导特征，包括：一第一区段，往一第一方向延伸，并连接该第一上拉电晶体的该第一汲极及该第一下拉电晶体的一汲极；以及一第二区段，往一第二方向延伸，其中该第一方向并未垂直及平行该第二方向，该第二区段连接该第一上拉电晶体的该第一汲极以及该第二上拉电晶体的该第二闸极，该第二区段重叠部分的该第一及第二部分。