Verfahren zum Erzeugen von Dotierbereichen in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen von Dotierbereichen in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes, indem zumindest ein Dotierbereich eines ersten Dotierungstyps durch Einbringen eines ersten Dotierstoffs des ersten Dotierungstyps und zumindest ein Dotierbereich eines zweiten Dotierungstyps durch Einbringen eines zweiten Dotierstoffs des zweiten Dotierungstyps erzeugt werden, wobei erster und zweiter Dotierungstyp entgegengesetzt sind. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: A Implantieren des ersten Dotierstoffs in zumindest einen Implantationsbereich in der Halbleiterschicht, welcher Implantationsbereich an eine erste Seite der Halbleiterschicht grenzt; B Aufbringen einer Dotierschicht, welche den zweiten Dotierstoff enthält mittelbar oder unmittelbar zumindest auf die erste Seite der Halbleiterschicht; C Mittels Wärmeeinwirkung gleichzeitiges Eintreiben des zweiten Dotierstoffs aus der Dotierschicht in die Halbleiterschicht zur Erzeugung zumindest des zweiten Dotierbereiches und einer oder mehrere der Vorgänge – Zumindest teilweise Aktivierung des implantierten Dotierstoffs im Implantationsbereiches und/oder – Zumindest teilweise Ausheilung von durch die Implantation erzeugten Kristallschäden in der Halbleiterschicht und/oder – Eintreiben des ersten Dotierstoffs aus dem Implantationsbereich zur Erzeugung des ersten Dotierbereichs, wobei in Verfahrensschritt A der Implantationsbereich als Diffusionsbarriere für den zweiten Dotierstoff ausgebildet ist.