于原子层沉积制程中调节沉积速率的方法

摘要

明之实施例提出在如原子层沉积(ALD)制程之气相沉积制程期间沉积材料至处理腔室内之基材上的方法。在一实施例中，提出方法包括于ALD制程期间，使基材相继暴露第一前驱物气体和至少一第二前驱物气体，同时沉积材料至基材上、以及在ALD制程之前及/或期间，使基材持续或定期暴露处理气体。藉由改变暴露基材的处理气体量，可控制沉积材料的沉积速率。在一实例中，氮化钽沉积在基材上，烷胺基金属前驱物气体含有钽前驱物，例如五(二甲胺基)钽(PDMAT)，第二前驱物气体含有氮前驱物，例如氨气，处理气体含有二甲胺(DMA)。

主权项

一种在一基材表面上沉积一材料的方法，该方法包含以下步骤：于一第一原子层沉积制程期间，使一基材相继暴露至具一烷胺配位基的一烷胺基金属前驱物气体和一氮前驱物气体，同时于一处理腔室内以一第一沉积速率在该基材上沉积包括一金属氮化物的一材料之一第一层；及，接着在一第二原子层沉积制程期间或在该第二原子层沉积制程之前，使该基材暴露至包含一烷胺化合物之一处理气体，其中该烷胺化合物流进该处理腔室且于该基材上形成该烷胺化合物之一涂层，且该第二原子层沉积制程包括以下步骤：使该基材相继暴露至该烷胺基金属前驱物气体和该氮前驱物气体，同时于该处理腔室内以一第二沉积速率在该基材上沉积包括该金属氮化物的该材料之一第二层，且其中该烷胺化合物具有与该烷胺配位基相同的化学结构。