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Ein Fein-Strukturierungsverfahren weist ein Bilden einer Maskenschicht (45, 145) mit einer unteren und einer oberen Maskenschicht auf einer unterliegenden Schicht (20, 120), ein Bilden eines Paars von Opferstrukturen (50, 150) auf der Maskenschicht (45, 145), ein Bilden eines Verbindungsabstandshalters (64, 164) zwischen den Opferstrukturen (50, 150) und ersten Abstandshaltern (62, 162), welche voneinander mit dem Paar von Opferstrukturen (50, 150) dazwischenliegend angeordnet beabstandet sind und ein Bedecken von Seitenoberflächen der Opferstrukturen (50, 150), ein Ätzen der oberen Maskenschicht unter Verwendung der ersten Abstandshalter (62, 162) und des Verbindungsabstandshalters (64, 164) als einer Ätzmaske, um obere Maskenstrukturen zu bilden, ein Bilden von zweiten Abstandshaltern (72, 172), um Seitenoberflächen der oberen Maskenstrukturen zu bedecken, ein Ätzen der unteren Maskenschicht unter Verwendung der zweiten Abstandshalter (72, 172) als einer Ätzmaske, um untere Maskenstrukturen zu bilden und ein Ätzen der unterliegenden Schicht (20, 120) unter Verwendung der unteren Maskenstrukturen als einer Ätzmaske auf. |
