发明名称 Ein Verfahren zur Bearbeitung eines Substrats und ein Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers
摘要 Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Substratbearbeitungsverfahren (100) Folgendes umfassen: das Ausbilden einer Vielzahl an Gräben in ein Substrat hinein zwischen zwei Chip-Strukturen im Substrat, wobei die Gräben mindestens eine Säule zwischen den zwei Chip-Strukturen und eine Seitenwand auf jeder der zwei Chip-Strukturen definieren (110); das Anordnen eines Hilfs-Trägerelements auf dem Substrat, um die Chip-Strukturen und die mindestens eine Säule zu halten (120); das zumindest teilweise Füllen der Gräben mit Einkapselungsmaterial, um die mindestens eine Säule und die Seitenwände zu bedecken (130), wodurch die Chip-Strukturen zumindest teilweise eingekapselt werden; das Entfernen eines Abschnitts des Einkapselungsmaterials, um mindestens einen Abschnitt der mindestens einen Säule freizulegen (140); und das zumindest teilweise Entfernen der mindestens einen Säule (150).
申请公布号 DE102015112845(A1) 申请公布日期 2016.02.11
申请号 DE201510112845 申请日期 2015.08.05
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 GABLER, FRANZ;PÜSCHNER, FRANK;SCHAETZLER, BERNHARD
分类号 H01L21/50;H01L23/31 主分类号 H01L21/50
代理机构 代理人
主权项
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