| 摘要 |
본 발명은, 금속을 전처리하는 단계(S100); 상기 전처리된 금속을 전해액에 침지하고, 플라즈마 전해 산화장치에 연결하는 단계(S200); 및 상기 플라즈마 전해 산화장치는 상기 금속에 전류밀도 2 내지 10A/dm의 펄스전류를 300초 내지 900초 동안 인가하여 상기 금속 표면에 산화피막을 형성하는 단계(S300);를 포함하고, 상기 펄스전류의 듀티비는 1:4이고, 상기 펄스전류의 주파수의 범위는 30Hz 내지 2,500Hz인 금속의 플라즈마 전해 산화방법을 제공한다. |
